收藏本站
NCV8405, NCV8405A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1000
100
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
10
L (mH)
100
10
10
L (mH)
100
100
Figure 2. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
1000
Figure 3. Single Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
T Jstart = 25 ° C
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
100
T Jstart = 150 ° C
1
1
TIME IN CLAMP (ms)
10
10
1
TIME IN CLAMP (ms)
10
Figure 4. Single Pulse Maximum Inductive
Switch ? off Current vs. Time in Clamp
Figure 5. Single Pulse Maximum Inductive
Switching Energy vs. Time in Clamp
8V
14
12 7 V
10 6 V
8
6
9V
5V
T A = 25 ° C
10 V
4V
3V
12
10
8
6
4
V DS = 10 V
? 40 ° C
25 ° C
100 ° C
150 ° C
4
2
V GS = 2.5 V
2
0
0
1
2
V DS (V)
3
4
5
0
1
2
3
V GS (V)
4
5
Figure 6. Output Characteristics
http://onsemi.com
4
Figure 7. Transfer Characteristics
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
A9CAA-1204F FLEX CABLE - AFG12A/AF12/AFE12T
MAX4824ETP+T IC 8CH RELAY DVR PWR SAVE 20TQFN
A9CAA-0402E FLEX CABLE - AFK04A/AE04/AFH04T
A9CCG-0802F FLEX CABLE - AFG08G/AF08/AFG08G
A9AAT-1008E FLEX CABLE - AFH10T/AE10/AFH10T
HK10056N2S-T INDUCTOR HIFREQ 6.2+/-0.3NH 0402
A9CCA-0506F FLEX CABLE - AFG05A/AF05/AFG05A
HK10054N7S-T INDUCTOR HIFREQ 4.7+/-0.3NH 0402
相关代理商/技术参数
NCV8406ADTRKG 功能描述:功率驱动器IC 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
NCV8406ASTT1G 功能描述:MOSFET 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406ASTT3G 功能描述:MOSFET 65V SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406DTRKG 功能描述:MOSFET 65V6A SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406STT3G 功能描述:功率驱动器IC 65 V,6 A SINGLE N-CH RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
NCV8408-D 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8408DTRKG 功能描述:MOSFET 42V 8A FULLY PROTECTED LO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8440 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection